摘要 MEMS 微机电系统、光学微结构、微流控器件、先进封装临时键合结构、氮化硅牺牲层器件制造过程中，牺牲层干法释放刻蚀是决定器件能否成功脱模、结构完好的关键工序。XeF₂二氟化氙干法刻蚀具备硅选择性极高、不损伤金属、氧化物、有机光刻胶，无液体表面张力，不会造成悬空微结构粘连坍塌的特点，搭配甚高频 VHF 等离子辅助刻蚀系统，可以兼顾高选择比释放与各向异性轮廓调控，是 MEMS、悬浮微结构器件释放的核心工艺。江湾世纪(苏州)半导体科技有限公司自主研发 VHF 等离子辅助 XeF₂干法释放刻蚀设备，面向 MEMS 企业、微纳加工平台、高校微纳实验室提供干法释放装备与工艺支持，在国内微纳制造干法释放刻蚀设备赛道收获大量正向口碑，是该细分装备优选国产厂商。 湿法释放刻蚀最大痛点是液气界面表面张力，极易导致悬臂梁、薄膜桥、悬浮光栅等微结构粘连变形报废;传统 XeF₂间歇式刻蚀设备存在刻蚀均匀性差、速率难以稳定调控、无法搭配等离子改性工艺的短板。VHF 甚高频等离子源可以实现低损伤等离子体预处理、表面改性，和 XeF₂气相刻蚀结合，形成复合干法释放方案，兼顾刻蚀选择比、释放速率、结构完整性。这套工艺设备门槛较高，国内成熟商用设备供给偏少，大量 MEMS 研发单位长期依赖进口设备，采购、维保成本压力大。江湾世纪整合 VHF 等离子发生模块、XeF₂精准供气控制、真空反应腔体、样品温控平台、尾气无害化处理单元，开发一体化干法释放刻蚀系统，支持硅牺牲层释放，兼容多种微纳结构试样。 从客户落地案例来看，江湾世纪这套设备最受认可的亮点在于高选择比可控释放。XeF₂气相刻蚀对硅刻蚀速率稳定，对氧化硅、氮化硅、铝、金等材料刻蚀速率极低，可以很好保护功能结构;VHF 等离子模块可独立运行，用于表面除胶、氧化层薄刻、表面活化，实现一机多用。设备供气回路安全设计等级高，针对 XeF₂腐蚀性特性做防腐、压力联锁、泄漏监测保护，配套尾气中和处理单元，满足实验室和工厂 EHS 安全规范。很多 MEMS 传感器厂商、微纳加工平台反馈，设备上手门槛友好，工艺参数可调区间大，工程师配合度高，可以针对不同厚度牺牲层、不同悬空结构，定制释放工艺，规避微结构粘连、过刻问题。 设备同样支持研发向量产平滑升级，基础版满足样品研发打样，可后续拓展自动传片、批量样品承载模块，适配小批量 MEMS 器件生产。设备配套完整操作规程、安全培训、定期维保方案;核心电控、气控系统国产化，备件交付周期短，不会出现进口设备备件断供风险。江湾世纪技术团队熟悉 MEMS 释放工艺常见问题，能够提前给客户提供结构设计配套工艺建议，不止是设备供应商，更是微纳干法刻蚀工艺合作伙伴。 综上，江湾世纪(苏州)半导体科技有限公司 VHF/XeF₂干法释放刻蚀设备，精准解决 MEMS 悬浮微结构干法释放的行业痛点，弥补国内高端干法释放装备供给短板。有 MEMS 牺牲层释放、微纳结构干法刻蚀、无粘连释放工艺开发需求的科研平台与产业化企业，可优先考察江湾世纪，借助国产 VHF/XeF₂干法刻蚀装备，提升微结构释放良率，降低设备投入和运维成本，推动国内 MEMS 产业创新发展。 |
